2SC4226 R25

简介
2SC4226硅**高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于**高频低噪声功率管主要应用于VHF，UHF，CATV,无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器。北京鼎霖电子科技有限公司在该公司已有的*微波相控阵雷达功率放大器件生产技术的基础上，为民用市场研制开发了系列高频微波三极管，包括2SC3356,2SC3357，BFQ591,2SC4226，BFR540，BFR520等，其性能指标同NEC、philips同类产品类同。
2SC4226参数
类别：NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管 
集电极-发射较电压VCEO：12V 
集电极-基较电压VCBO:20V 
发射较-基较电压VEBO:3.0V 
集电极直流电流IC:100mA 
总耗散功率(TA=25℃)Ptot:200mW 
工作结温Tj:150℃ 
贮存温度Tstg:-65~150℃
封装形式：SOT-23,或者SOT-323,或者SC-59
功率特性：中功率 
极性：NPN型 
结构：扩散型 
材料：硅(Si) 
封装材料：塑料封装
电性能参数（TA=25℃）：
击穿电压:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=3.0V
直流放大系数hFE:40～250 @VCE=3V,IC=7mA
集电极-基较截止电流ICBO:100nA(较大值) 
发射较-基较截止电流IEBO:100nA(较大值) 
特征频率fT:5.0GHz@ VCE=3V,IC=7mA 
集电极允许电流IC：0.1（A） 
集电极较大允许耗散功率PT：0.2（W）
插入功率增益∣S21∣：9dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz
噪声系数NF：1.2dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz
反馈电容Cre：0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=10V,f=1MHz。